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Produktinformationen

  • Details: Plastic-Encapsulate
  • Details: ESD protected/ESD-geschützt
  • Drain-Source-Spannung: 60 V
  • Drain-Gate-Spannung: 60 V
  • Gate-Source-Spannung: +/-20 V
  • Drainstrom: 340 mA
  • max. Drainstrom: 800 mA
  • Verlustleistung @ Ta = 25 °C: 0,35 W
  • Drain-Source-Durchlasswiderstand: 1,1 Ohm
  • max. Eingangskapazität: 40 pF
  • Sperrverzug: 26 nS
  • Einschaltzeit: 3 nS
  • Betriebstemperatur: -65 - 150 °C
Eigenschaften "2N7002K SOT23 N-CHANNEL POWER MOSFET SMT | Hottech Semiconductor (100er-Pack)"
Gehäuse: SOT23
Montageart: SMT
Datenblatt
2N7002K

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