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Produktinformationen

  • Kollektor-Base-Spannung: -35 V
  • Kollektor-Emitter-Spannung: -30 V
  • Ermitter-Base-Spannung: -5 V
  • IC max. Kollektorstrom: -800 mA
  • Verlustleistung @ Ta = 25 °C: 300 mW
  • Betriebstemperatur: -55 - 150 °C
Eigenschaften "2SA1150 2-4E1A-C-D TRANSISTOR PNP THT | Toshiba Electronics"
Gehäuse: 2-4E1A-C-D
Montageart: THT
Datenblatt
2SA1150

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Hersteller "Toshiba Electronics"
Toshiba Electronics Europe GmbH

Hansaallee 181
40549 Düsseldorf

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