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Produktinformationen

  • Kollektor-Base-Spannung: -170 V
  • Emitter-Base-Spannung: -5 V
  • Kollektorstrom: -7 A
  • Verlustleistung @ Tc = 25 °C: 80 W
  • Kapazität: 350 pF
  • Transitfrequenz: 7 MHz
  • Sperrschichttemperatur: 150 °C
Eigenschaften "2SB695 TO218 TRANSISTOR PNP THT | MATSUSHITA-PANASONIC"
Gehäuse: TO218
Montageart: THT
Datenblatt
2SB695

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Hersteller "MATSUSHITA-PANASONIC"

Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.

Verantwortliche Person für die EU
In der EU ansässiger Wirtschaftsbeteiligter, der sicherstellt, dass das Produkt den erforderlichen Vorschriften entspricht:

MEPATRONIK GmbH
Greulingstr. 10-12
42859 Remscheid

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