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Produktinformationen

  • Details: Low frequency power amplifier
  • Drain-Source-Spannung: -160 V
  • Gate-Source-Spannung: +/- 15 V
  • Drainstrom: -7 A
  • Verlustleistung @ Tc = 25 °C: 100 W
  • Betriebstemperatur: -55 - 150 °C
Eigenschaften "2SJ162 TO-3P SILICON P-CHANNEL MOSFET THT | Renesas"
Gehäuse: TO-3P
Montageart: THT
Datenblatt
2SJ162

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Hersteller "Renesas"
Renesas Electronics Germany GmbH

Grenzstraße 28
01109 Dresden

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