Produktinformationen
- Details: HF amplification
- Gate-Drain-Spannung: 30 V
- Drainstrom: 20 mA
- Gate-Leckstrom: -10 nA
- Verlustleistung @ Ta = 25 °C: 250 mW
- Betriebstemperatur: -55 - 125 °C
Eigenschaften "2SK104 TO92 SILICON N-CHANNEL MOSFET THT | NEC"
| Gehäuse: | TO92 |
|---|---|
| Montageart: | THT |
Datenblatt
Hersteller "NEC"
Renesas Electronics Germany GmbH
Grenzstraße 28
01109 Dresden
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