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Produktinformationen

  • Drain-Source-Spannung: 500 V
  • Gate-Source-Spannung: +/-20 V
  • Drainstrom: 10 A
  • Gate Fehlerstrom: +/-100 nA
  • max Verlustleistung @ Tc = 25 °C: 125 W
  • Eingangskapazität: 870 pF
  • Drain-Source-Durchlasswiderstand: 0,75 Ohm
  • Betriebstemperatur: -55 - 150 °C
Eigenschaften "2SK1488 TO-3P N-CHANNEL MOSFET THT | Toshiba Electronics"
Gehäuse: TO-3P
Montageart: THT
Datenblatt
2SK1488

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Hersteller "Toshiba Electronics"
Toshiba Electronics Europe GmbH

Hansaallee 181
40549 Düsseldorf

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