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Produktinformationen

  • Details: FM Tuner Application, VHF Band Amplifier Application
  • Gate-Drain-Spannug: -18 V
  • Durchlass-Gate-Strom: 10 mA
  • typ. Rauschzahl: 2,5 dB
  • Verlustleistung @ Ta = 25 °C: 200 mW
  • Betriebstemperatur: -55 - 125 °C
  • Klassifikation: Y
Eigenschaften "2SK161 2-4E1A-C-D SILICON N-CHANNEL MOSFET THT | Toshiba Electronics"
Gehäuse: 2-4E1A-C-D
Montageart: THT
Datenblatt
2SK161

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Hersteller "Toshiba Electronics"
Toshiba Electronics Europe GmbH

Hansaallee 181
40549 Düsseldorf

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