Produktinformationen
- Drain-Source-Spannung: 800 V
- Gate-Source-Spannung: +/-30 V
- Drainstrom: 2 A
- Gate Fehlerstrom: +/-1 µA
- max Verlustleistung @ Ta = 25 °C: 2 W
- Eingangskapazität: 350 pF
- Drain-Source-Durchlasswiderstand: 4,8 Ohm
- Betriebstemperatur: -55 - 150 °C
Eigenschaften "2SK2128 TO220 N-CHANNEL MOSFET THT | MATSUSHITA-PANASONIC"
| Gehäuse: | TO220 |
|---|---|
| Montageart: | THT |
Datenblatt
Hersteller "MATSUSHITA-PANASONIC"
Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.
Verantwortliche Person für die EU
In der EU ansässiger Wirtschaftsbeteiligter, der sicherstellt, dass das Produkt den erforderlichen Vorschriften entspricht:
MEPATRONIK GmbH
Greulingstr. 10-12
42859 Remscheid
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