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Produktinformationen

  • Drain-Source-Spannung: 900 V
  • Gate-Source-Spannung: +/- 30 V
  • Lawinenstrom: 1 A
  • Dunkelstrom: 1 A
  • Verlustleistung @ Tc = 25 °C: 60 W
  • Betriebstemperatur: 150 °C
Eigenschaften "2SK2733 TO220 N-CHANNEL MOSFET THT | Toshiba Electronics"
Gehäuse: TO220
Montageart: THT
Datenblatt
2SK2733

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Hersteller "Toshiba Electronics"
Toshiba Electronics Europe GmbH

Hansaallee 181
40549 Düsseldorf

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