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Produktinformationen

  • Details: Low Noise Pre-Amplifier, Tone Control Amplifier and DC-AC High Input Impedance Amplifier Circuit
  • Gate-Drain-Spannung: -50 V
  • Durchlass-Gate-Strom: 10 mA
  • Gate-Abschaltstrom: -1 nA
  • typ. Rauschzahl: 0,5 dB
  • Verlustleistung @ Ta = 25 °C: 100 mW
  • Betriebstemperatur: -55 - 150 °C
  • Klassifikation: Y
Eigenschaften "2SK30A TO92 SILICON N-CHANNEL MOSFET THT | Toshiba Electronics"
Gehäuse: TO92
Montageart: THT
Datenblatt
2SK30A

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Hersteller "Toshiba Electronics"
Toshiba Electronics Europe GmbH

Hansaallee 181
40549 Düsseldorf

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