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2SK365 2-4E1A-C-D N-CHANNEL MOSFET THT | Toshiba Electronics
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Inhalt:
1 Stück
Produktnummer:
5440036562
Min.-Bestellmenge:
15
Herstellerverpackungseinheit:
5 Stück
Produktinformationen
- Gate-Drain-Spannung: -50 V
- Drainstrom: 1,2 - 14 mA
- Gatestrom: 10 mA
- max Verlustleistung @ Ta = 25 °C: 200 mW
- Eingangskapazität: 13 pF
- Drain-Source-Durchlasswiderstand: 80 Ohm
- Betriebstemperatur: -55 - 125 °C
- Klassifikation: GR
Eigenschaften "2SK365 2-4E1A-C-D N-CHANNEL MOSFET THT | Toshiba Electronics"
| Gehäuse: | 2-4E1A-C-D |
|---|---|
| Montageart: | THT |
Datenblatt
Hersteller "Toshiba Electronics"
Toshiba Electronics Europe GmbH
Hansaallee 181
40549 Düsseldorf
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