Produktinformationen
- Drain-Source-Spannung: 500 V
- Gate-Source-Spannung: +/-20 V
- Drainstrom: +/-10 A
- Gate Fehlerstrom: +/-100 nA
- max Verlustleistung @ Ta = 25 °C: 3 W
- Eingangskapazität: 1270 pF
- Drain-Source-Durchlasswiderstand: 0,7 Ohm
- Betriebstemperatur: -55 - 150 °C
Eigenschaften "2SK819 TO-3PN N-CHANNEL MOSFET THT | NEC"
| Gehäuse: | TO-3PN |
|---|---|
| Montageart: | THT |
Datenblatt
Hersteller "NEC"
Renesas Electronics Germany GmbH
Grenzstraße 28
01109 Dresden
Grenzstraße 28
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