Produktinformationen
- Details: N-Channel Plastic-Encapsulate MOSFET
- Drain-Source-Spannung: 60 V
- Drain-Gate-Spannung: 60 V
- Gate-Source-Spannung: +/-20 V
- Drainstrom: 500 mA
- pulsierender Drainstrom: 1200 mA
- Drainverlustleistung @Ta = 25 °C: 0,83 W
- Drain-Source Einschaltwiderstand: 1,2 Ohm
- Eingangskapazität: 24 pF
- Betriebstemperatur: -55 - 150 °C
Eigenschaften "BS170 TO92 N-CHANNEL MOSFET THT | CDIL"
| Gehäuse: | TO92 |
|---|---|
| Montageart: | THT |
Datenblatt
Hersteller "CDIL"
Continental Device India Ltd.
Verantwortliche Person für die EU
In der EU ansässiger Wirtschaftsbeteiligter, der sicherstellt, dass das Produkt den erforderlichen Vorschriften entspricht:
MEPATRONIK GmbH
Greulingstr. 10-12
42859 Remscheid
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