Produktinformationen
- Details: HIGH POWER NPN SILICON TRANSISTOR
- Kollektor-Base-Spannung: 120 V
- Kollektor-Emitter-Spannung: 60 V
- Emitter-Base-Spannung: 7 V
- Kollektorstrom: 30 A
- max. Kollektorstrom: 45 A
- Gesamtverlustleistung @ Tc <= 25 °C: 150 W
- Betriebstemperatur: 200 °C
Eigenschaften "BUW38 TO-3 TRANSISTOR NPN THT | ST Microelectronics"
| Gehäuse: | TO-3 |
|---|---|
| Montageart: | THT |
Datenblatt
Hersteller "ST Microelectronics"
STMicroelectronics GmbH
Bahnhofstrasse 18
85609 Aschheim-Dornach
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