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Produktinformationen

  • Drain-Source-Spannung: 100 V
  • Gate-Source-Spannung: +/- 20 V
  • Drain-Strom: 9,2 A
  • Drain-Strom (pulsierend): 37 A
  • Avalanche-Strom (sich wiederholend): 9,2 A
  • Verlustleistung @ Tc = 25°C: 60 W
  • Betriebswiderstand: 0,27 Ohm
  • Betriebstemperatur: -55 - 175°C
Eigenschaften "IRF520PBF TO220 N-CHANNEL POWER MOSFET THT | Vishay"
Gehäuse: TO220
Montageart: THT
Datenblatt
IRF520PBF

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Hersteller "Vishay"
Vishay Semiconductor GmbH

Theresienstraße 2
74072 Heilbronn

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