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Inhalt:
1 Stück
Produktnummer:
IRF5305PBF
Min.-Bestellmenge:
10
RoHS konform:
Ja
Herstellerverpackungseinheit:
50 Stück
Produktinformationen
- Drain-Source-Spannung: -55 V
- Gate-Source-Spannung: +/- 20 V
- Drain-Strom: -31 A
- Drain-Strom (pulsierend): -110 A
- Avalanche-Strom (sich wiederholend): -16 A
- Verlustleistung @ Tc = 25°C: 110 W
- Drain-Source-Durchlasswiderstand: 0,06 Ohm
- Betriebstemperatur: -55 - 175°C
Eigenschaften "IRF5305PBF TO220 P-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET THT | Infineon"
| Gehäuse: | TO220 |
|---|---|
| Montageart: | THT |
Datenblatt
Hersteller "Infineon"
Infineon Technologies AG
Am Campeon 1-15
85579 Neubiberg
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