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Produktinformationen

  • Drain-Source-Spannung: 200 V
  • Gate-Source-Spannung: +/- 20 V
  • Drain-Strom: 9,3 A
  • Drain-Strom (pulsierend): 37 A
  • Avalanche-Strom (sich wiederholend): 9,3 A
  • Verlustleistung @ Tc = 25°C: 82 W
  • Drain-Source-Durchlasswiderstand: 0,3 Ohm
  • Betriebstemperatur: -55 - 175°C
Eigenschaften "IRF630NPBF TO220 N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET THT | Infineon"
Gehäuse: TO220
Montageart: THT
Datenblatt
IRF630NPBF

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Hersteller "Infineon"
Infineon Technologies AG

Am Campeon 1-15
85579 Neubiberg

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