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IRF640NPBF TO220 N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET THT | Infineon
1800 lieferbar
Lieferzeit: Sofort verfügbar
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| Bis 49 |
0,60 €
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| Bis 99 |
0,43 €
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| Bis 499 |
0,38 €
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| Bis 999 |
0,35 €
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| Ab 1000 |
0,32 €
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Inhalt:
1 Stück
Produktnummer:
1003555645
Min.-Bestellmenge:
10
RoHS konform:
Ja
Herstellerverpackungseinheit:
50 Stück
Produktinformationen
- Drain-Source-Spannung: 200 V
- Gate-Source-Spannung: +/- 20 V
- Drain-Strom: 18 A
- Drain-Strom (pulsierend): 72 A
- Avalanche-Strom (sich wiederholend): 18 A
- Verlustleistung @ Tc = 25°C: 150 W
- Drain-Source-Durchlasswiderstand: 0,15 Ohm
- Betriebstemperatur: -55 - 175°C
Eigenschaften "IRF640NPBF TO220 N-CHANNEL HEXFET POWER MOSFET THT | Infineon"
| Gehäuse: | TO220 |
|---|---|
| Montageart: | THT |
Datenblatt
Hersteller "Infineon"
Infineon Technologies AG
Am Campeon 1-15
85579 Neubiberg
Am Campeon 1-15
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