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Produktinformationen

  • Drain-Source-Durchbruchspannung: -100 V
  • Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand: 0,48 Ohm
  • Drainstrom: -6,8 A
  • Verlustleistung @Tc=25 °C: 48 W
  • Betriebstemperatur: -55 °C - 175 °C
  • Einschalt-Verzögerungszeit: 14 nS
  • Eingangskapazität: 350 pF
  • Ausgangskapazität: 110 pF
Eigenschaften "IRF9520NBF TO220 P-CHANNEL POWER MOSFET THT | Infineon"
Gehäuse: TO220
Montageart: THT
Datenblatt
IRF9520NBF

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Hersteller "Infineon"
Infineon Technologies AG

Am Campeon 1-15
85579 Neubiberg

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