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Produktinformationen

  • Drain-Source-Spannung: 500 V
  • Gate-Source-Spannung: +/- 20 V
  • Drain-Strom: 2,1 A
  • Drain-Strom (pulsierend): 8,4 A
  • Avalanche-Strom (sich wiederholend): 2,1 A
  • Verlustleistung @ Tc = 25°C: 30 W
  • Drain-Source-Durchlasswiderstand: 3 Ohm
  • Betriebstemperatur: -55 - 150°C
Eigenschaften "IRFI820G TO220 ISOLIERT N-CHANNE LHEXFET POWER MOSFET THT | International Rectifier"
Gehäuse: TO220 ISOLIERT
Montageart: THT
Datenblatt
IRFI820G

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Hersteller "International Rectifier"
Infineon Technologies AG

Am Campeon 1-15
85579 Neubiberg

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