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Produktinformationen

  • Details: Complementary enhencement mode MOS transistor
  • Drain-Source-spannung: N-channel: 30V; P-channel: -30 V
  • Gate-Source-spannung: +/- 20 V
  • Dunkelstrom: N-channel: 3,5 A; P-channel: -2,3 A
  • Verlustleistung: 1,3 - 2 W
  • Betriebstemperatur: 150 °C
Eigenschaften "PHC21025,118 SOP8 N-CHANNEL P-CHANNEL MOSFET SMT | NXP (100er-Pack)"
Gehäuse: SOP8
Montageart: SMT
Datenblatt
PHC21025

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Hersteller "NXP"
NXP Semiconductors Germany GmbH

Schatzbogen 7
81829 München

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