Produktinformationen
- Drain-Source-Spannung: -50 V
- Gate-Source-Spannung: +/- 20 V
- Drainstrom: -8 A
- max Verlustleistung @ Tc = 25 °C: 48 W
- Drain-Source-Durchlasswiderstand: 0,3 Ohm
- Betriebstemperatur: -55 - 175 °C
Eigenschaften "RFP8P05 TO220 P-CHANNEL MOSFET THT | Harris Semiconductor"
| Gehäuse: | TO220 |
|---|---|
| Montageart: | THT |
Datenblatt
Hersteller "Harris Semiconductor"
Harris Corporation
Verantwortliche Person für die EU
In der EU ansässiger Wirtschaftsbeteiligter, der sicherstellt, dass das Produkt den erforderlichen Vorschriften entspricht:
MEPATRONIK GmbH
Greulingstr. 10-12
42859 Remscheid
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